西门康混合碳化硅功率模块SKM200GB12T4SiC

带IGBT和碳化硅肖特基二极管的功率模块

高开关频率并且和提高了输出功率和效率

赛米控提供混合碳化硅功率模块如，SEMITRANS和SKiM63/93。将*新的IGBT技术和由供应商所提供的SiC（碳化硅）肖特基二极管结合在一起，以提高开关频率，同时减少功率损耗。

可提供的混合碳化硅功率模块电流为8A - 450A,电压为 1200V。涵盖三相全桥和半桥拓扑结构。

SiC（碳化硅）肖特基续流二极管所带来的开关损耗近乎为零, 同时能大大降低IGBT的导通损耗。这些效果可以在同一个模块封装里带来更高的开关频率，它有效地降低了对如太阳能逆变器、UPS系统或高频电源的输出端的滤波要求。而且可实现比标准硅功率模块更高的输出功率。

SKM200GB12T4SiC

SiC Modules

SEMITRANS 3 (106x62x31)

Part Number    22892069

Product Status          Sample status

Housing   SEMITRANS 3 (106x62x31)

(LLxBBxHH)      106x62x31

Switches  Half Bridge

VCE in V   1200

ICnom in A        200

Technology       SiC Diode + IGBT 4 (Trench)